Аннотации:
În lucrare sunt prezentate rezultatele cercetării termoluminiscenţei straturilor subţiri policristaline de ZnSe. Dependenţa spectrală a termoluminiscenţei este formată din două maxime, primul cel mai intens la Tmax = 153K şi al doilea la Tmax = 216K. Valorile energiei de ionizare a nivelelor de captură, Et, determinate din această dependenţă, sunt egale cu 0.062eV şi 0.44eV de la marginea inferioară a benzii de conducţie, iar nivelul de localizare a centrelor de recombinare – la 0.66eV de la marginea superioară a benzii de valenţă.