Creşterea epitaxială din fază de vapori a straturilor subţiri de ZnSe [Articol]

dc.contributor.author	Popa, Mihail
dc.contributor.author	Rusu, Gheorghe Ioan
dc.date.accessioned	2016-03-16T08:07:04Z
dc.date.available	2016-03-16T08:07:04Z
dc.date.issued	2008
dc.identifier.citation	Popa, Mihail. Creşterea epitaxială din fază de vapori a straturilor subţiri de ZnSe / Mihail Popa, Gheorghe Ioan Rusu // Fizică şi tehnică : procese, modele, experimente : rev. şt. a profilului de cercetare „Proprietăţile fizice ale substanţelor în diverse stări”. - 2008. - Nr 1. - P. 20-24.	ro
dc.identifier.uri	http://dspace.usarb.md:8080/jspui/handle/123456789/1704
dc.description.abstract	Straturile subţiri de ZnSe au fost crescute epitaxial pe suporturi de GaAs şi safir într-un sistem cu tub deschis prin reacţia vaporilor de Zn cu gazul hibrid nemetalic de H2Se. A fost analizată influenţa temperaturii suportului asupra controlului stoichiometriei şi polimorfismului straturilor subţiri. Microfotografiile TEM indică faptul că straturile obţinute au o structură policristalină, sunt compacte şi prezintă o rugozitate mică.	ro
dc.language.iso	ro	ro
dc.publisher	USARB	ro
dc.rights	Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 Internațional	*
dc.rights.uri	http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/	*
dc.subject	straturi subţiri de ZnSe	ro
dc.subject	dispozitive semiconductoare	ro
dc.subject	straturi epitaxiale	ro
dc.title	Creşterea epitaxială din fază de vapori a straturilor subţiri de ZnSe [Articol]	ro
dc.type	Article	en