Аннотации:
Straturile subţiri de ZnSe au fost depuse pe suporturi de sticlă prin metoda evaporării termice în vid în volum cvazi-închis. Au fost studiate curbele de relaxare a fotoluminiscenţei straturilor subţiri de ZnSe. Timpul de viaţă a purtătorilor de sarcină de neechilibru, determinat din panta dependenţei de tip ln(JFL / JFL (0)) = f (t) este de circa 15.38µm. Dependenţa spectrală a fotoluminiscenţei straturilor subţiri de ZnSe prezintă o curbă cu un maxim localizat la aproximativ 2.01eV. Diferenţa dintre lărgimea benzii interzise (Eg = 2.67eV) şi energia acestui maxim ne indică un nivel de localizare al centrelor de recombinare