Аннотации:
Au fost obţinute straturi subţiri de ZnSe prin metoda evaporării termice în vid, în volum cvasi-închis, folosind instalaţ ia de tip UVN–70A–1. Pentru a prepara probe cu caracteristici structurale diverse şi deci cu proprietăţi electrice şi optice posibil diferite, au fost proiectate şi realizate unele dispozitive suplimentare la instalaţia de depunere: dispozitiv de fixare a suporturilor, măşti pentru prepararea straturilor subţiri şi a suporturilor, ecrane de protecţie etc. Dispozitivele realizate au permis obţinerea unor straturi subţiri policristaline de ZnSe în diverse condiţ ii: temperatura suportului în timpul depunerii a variat între 1000 şi 1500 K. Distanţa evaporator – suport a fost modificată între 70 şi 120 mm. Au fost obţinute straturi subţiri cu grosimi cuprinse între 0.15 şi 1.