Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.usarb.md:8080/jspui/handle/123456789/1704
Title: Creşterea epitaxială din fază de vapori a straturilor subţiri de ZnSe [Articol]
Authors: Popa, Mihail
Rusu, Gheorghe Ioan
Keywords: straturi subţiri de ZnSe
dispozitive semiconductoare
straturi epitaxiale
Issue Date: 2008
Publisher: USARB
Citation: Popa, Mihail. Creşterea epitaxială din fază de vapori a straturilor subţiri de ZnSe / Mihail Popa, Gheorghe Ioan Rusu // Fizică şi tehnică : procese, modele, experimente : rev. şt. a profilului de cercetare „Proprietăţile fizice ale substanţelor în diverse stări”. - 2008. - Nr 1. - P. 20-24.
Abstract: Straturile subţiri de ZnSe au fost crescute epitaxial pe suporturi de GaAs şi safir într-un sistem cu tub deschis prin reacţia vaporilor de Zn cu gazul hibrid nemetalic de H2Se. A fost analizată influenţa temperaturii suportului asupra controlului stoichiometriei şi polimorfismului straturilor subţiri. Microfotografiile TEM indică faptul că straturile obţinute au o structură policristalină, sunt compacte şi prezintă o rugozitate mică.
URI: http://dspace.usarb.md:8080/jspui/handle/123456789/1704
Appears in Collections:Articole

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
popa_fizteh-2008_1pdf.pdf187,96 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


This item is licensed under a Creative Commons License Creative Commons