Please use this identifier to cite or link to this item:
http://dspace.usarb.md:8080/jspui/handle/123456789/1704| Title: | Creşterea epitaxială din fază de vapori a straturilor subţiri de ZnSe [Articol] |
| Authors: | Popa, Mihail Rusu, Gheorghe Ioan |
| Keywords: | straturi subţiri de ZnSe dispozitive semiconductoare straturi epitaxiale |
| Issue Date: | 2008 |
| Publisher: | USARB |
| Citation: | Popa, Mihail. Creşterea epitaxială din fază de vapori a straturilor subţiri de ZnSe / Mihail Popa, Gheorghe Ioan Rusu // Fizică şi tehnică : procese, modele, experimente : rev. şt. a profilului de cercetare „Proprietăţile fizice ale substanţelor în diverse stări”. - 2008. - Nr 1. - P. 20-24. |
| Abstract: | Straturile subţiri de ZnSe au fost crescute epitaxial pe suporturi de GaAs şi safir într-un sistem cu tub deschis prin reacţia vaporilor de Zn cu gazul hibrid nemetalic de H2Se. A fost analizată influenţa temperaturii suportului asupra controlului stoichiometriei şi polimorfismului straturilor subţiri. Microfotografiile TEM indică faptul că straturile obţinute au o structură policristalină, sunt compacte şi prezintă o rugozitate mică. |
| URI: | http://dspace.usarb.md:8080/jspui/handle/123456789/1704 |
| Appears in Collections: | Articole |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Popa_M_Cresterea.pdf | 188,77 kB | Adobe PDF |  View/Open |
This item is licensed under a Creative Commons License
